M29W400FT55N3E vs M29W320DB70N3E השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של M29W400FT55N3E מאת Micron Technology ו M29W320DB70N3E מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
M29W400FT55N3E M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E ✓ פעיל
Micron Technology
M29W320DB70N3E M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר M29W400FT55N3E M29W320DB70N3E
מותג Micron Technology Micron Technology
קטגוריה Memory ICs Flash
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון Flash - NOR Memory IC NOR Flash
גודל זיכרון 4 Mbit —
ממשק Parallel Parallel
Access Time 55 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read) 2.7 V to 3.6 V
Sector Size 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block) —
Boot Block Position Top (FT suffix) —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive —
מארז 48-TSOP I 48-TSOP I
Number of Terminals 48 —
Package Code / Shape TSSOP / Rectangular —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת רגישות ללחות (MSL) 3 (168 Hours) —
Packaging Tray —
Peak Reflow Time 30 s max —
Companion Access-Time Grade 55 ns and 70 ns versions available in family —
Density — 32 Mbit (33554 kbits)
ארגון — 2M x 16
Number of Words — 2000 k
Bits per Word — 16 bits
VPP Fast Program Voltage — 12 V (optional)
Block Architecture — Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type)
סטטוס RoHS — ROHS3 Compliant
Programming Mode — Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling
Power-Up Mode — Read mode (default)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר