M29W400FT55N3E vs M29W320DB70N3E Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29W400FT55N3E tarafından Micron Technology ve M29W320DB70N3E tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29W400FT55N3E M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E - 4Mbit NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29W400FT55N3E ✓ Aktif
Micron Technology
M29W320DB70N3E M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29W400FT55N3E M29W320DB70N3E
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Flash
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü Flash - NOR Memory IC NOR Flash
Bellek Boyutu 4 Mbit —
Arayüz Parallel Parallel
Access Time 55 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V (program, erase and read) 2.7 V to 3.6 V
Sector Size 16 KB, 8 KB, 32 KB, 64 KB (asymmetric boot-block) —
Boot Block Position Top (FT suffix) —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive —
Paket 48-TSOP I 48-TSOP I
Number of Terminals 48 —
Package Code / Shape TSSOP / Rectangular —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL) 3 (168 Hours) —
Packaging Tray —
Peak Reflow Time 30 s max —
Companion Access-Time Grade 55 ns and 70 ns versions available in family —
Density — 32 Mbit (33554 kbits)
Organizasyon — 2M x 16
Number of Words — 2000 k
Bits per Word — 16 bits
VPP Fast Program Voltage — 12 V (optional)
Block Architecture — Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type)
RoHS Durumu — ROHS3 Compliant
Programming Mode — Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling
Power-Up Mode — Read mode (default)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin