MT40A512M16TB-062E vs NT5AD512M16B4-HR तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT40A512M16TB-062E द्वारा Micron Technology और NT5AD512M16B4-HR द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E ✓ सक्रिय
Nanya Technology
NT5AD512M16B4-HR NT5AD512M16B4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 1.2V | Nanya

NT5AD512M16B4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 1.2V | Nanya

NT5AD512M16B4-HR ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर MT40A512M16TB-062E NT5AD512M16B4-HR
ब्रांड Micron Technology Nanya Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) $60.00 —
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
मेमोरी आकार 8 Gbit —
संगठन 512M x 16 512M x 16
डेटा दर 1600 MHz (DDR4-3200) 3200 Mbps
Supply Voltage - VDD/VDDQ 1.2V ±60mV —
Supply Voltage - VPP 2.5V, -125mV, +250mV —
tRCD 19 ns —
Refresh Time 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT) —
पैकेज 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-ball TFBGA
माउंटिंग प्रकार Surface Mount —
इंटरफ़ेस Parallel —
विशेषताएँ Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration —
RoHS स्थिति Compliant —
REACH Status Compliant —
Density — 8Gb
सप्लाई वोल्टेज — 1.2V
Temperature Range — 0°C to +95°C
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
RoHS — Compliant

डेटाशीट और संसाधन

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