MT40A512M16TB-062E vs NT5AD512M16B4-HR مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار MT40A512M16TB-062E توسط Micron Technology و NT5AD512M16B4-HR توسط Nanya Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E ✓ فعال
Nanya Technology
NT5AD512M16B4-HR NT5AD512M16B4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 1.2V | Nanya

NT5AD512M16B4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 1.2V | Nanya

NT5AD512M16B4-HR ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر MT40A512M16TB-062E NT5AD512M16B4-HR
برند Micron Technology Nanya Technology
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
قیمت واحد (USD) $60.00 —
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
اندازه حافظه 8 Gbit —
سازمان 512M x 16 512M x 16
نرخ داده 1600 MHz (DDR4-3200) 3200 Mbps
Supply Voltage - VDD/VDDQ 1.2V ±60mV —
Supply Voltage - VPP 2.5V, -125mV, +250mV —
tRCD 19 ns —
Refresh Time 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C —
محدوده دمای کاری 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT) —
بسته‌بندی 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-ball TFBGA
نوع نصب Surface Mount —
رابط Parallel —
ویژگی‌ها Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration —
وضعیت RoHS Compliant —
REACH Status Compliant —
Density — 8Gb
ولتاژ تغذیه — 1.2V
Temperature Range — 0°C to +95°C
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
RoHS — Compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت