MT40A512M16TB-062E vs NT5AD512M16B4-HR Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci MT40A512M16TB-062E disebabkan oleh Micron Technology dan NT5AD512M16B4-HR disebabkan oleh Nanya Technology. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E ✓ Aktif
Nanya Technology
NT5AD512M16B4-HR NT5AD512M16B4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 1.2V | Nanya

NT5AD512M16B4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 1.2V | Nanya

NT5AD512M16B4-HR ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr MT40A512M16TB-062E NT5AD512M16B4-HR
Merek Micron Technology Nanya Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Harga Unit (USD) $60.00 —
Jenis Ingatan DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Saiz Ingatan 8 Gbit —
Organisasi 512M x 16 512M x 16
Kadar Data 1600 MHz (DDR4-3200) 3200 Mbps
Supply Voltage - VDD/VDDQ 1.2V ±60mV —
Supply Voltage - VPP 2.5V, -125mV, +250mV —
tRCD 19 ns —
Refresh Time 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C —
Gambaran Suhu Operasi 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT) —
Kemasan 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-ball TFBGA
Jenis Pemasangan Surface Mount —
Antaramuka Parallel —
Ciri-ciri Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration —
Status RoHS Compliant —
REACH Status Compliant —
Density — 8Gb
Tegangan Pemberi Arus — 1.2V
Temperature Range — 0°C to +95°C
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
RoHS — Compliant

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga