NT5AD512M16C4-HR vs E3AD8G16A4-HR तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5AD512M16C4-HR द्वारा Nanya Technology और E3AD8G16A4-HR द्वारा ELIXIR/NANYA. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | NT5AD512M16C4-HR | E3AD8G16A4-HR |
|---|---|---|
| ब्रांड | Nanya Technology | ELIXIR/NANYA |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| संगठन | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | 1.2 V |
| डेटा दर | 1.333 GHz (DDR4-2666) | 3200 MT/s |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to +95°C | 0C to +95C (TCASE) |
| पैकेज | FBGA-96 (TFBGA) | TFBGA-96 |
| पिन की संख्या | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| CAS लेटेंसी | — | 22 |
| Burst Length | — | 8 (BC4 optional) |
| Number of Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| Speed Grade | — | DDR4-3200 |