NT5AD512M16C4-HR vs E3AD8G16A4-HR مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ NT5AD512M16C4-HR بواسطة Nanya Technology و E3AD8G16A4-HR بواسطة ELIXIR/NANYA. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | NT5AD512M16C4-HR | E3AD8G16A4-HR |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Nanya Technology | ELIXIR/NANYA |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| التنظيم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| معدل البيانات | 1.333 GHz (DDR4-2666) | 3200 MT/s |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to +95°C | 0C to +95C (TCASE) |
| العلبة | FBGA-96 (TFBGA) | TFBGA-96 |
| عدد الدبابيس | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| زمن الوصول CAS | — | 22 |
| Burst Length | — | 8 (BC4 optional) |
| Number of Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| Speed Grade | — | DDR4-3200 |