NT5AD512M16C4-HR vs E3AD8G16A4-HR 比較
詳細並排比較 NT5AD512M16C4-HR 由 Nanya Technology 與 E3AD8G16A4-HR 由 ELIXIR/NANYA. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | NT5AD512M16C4-HR | E3AD8G16A4-HR |
|---|---|---|
| 品牌 | Nanya Technology | ELIXIR/NANYA |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 組織 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| 供應電壓 | 1.2 V | 1.2 V |
| 資料速率 | 1.333 GHz (DDR4-2666) | 3200 MT/s |
| 工作溫度 | 0°C to +95°C | 0C to +95C (TCASE) |
| 封裝 | FBGA-96 (TFBGA) | TFBGA-96 |
| 腳位數 | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| CAS 延遲 | — | 22 |
| Burst Length | — | 8 (BC4 optional) |
| Number of Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |
| 安裝類型 | — | Surface Mount |
| Speed Grade | — | DDR4-3200 |