NT5AD512M16C4-HR vs E3AD8G16A4-HR השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של NT5AD512M16C4-HR מאת Nanya Technology ו E3AD8G16A4-HR מאת ELIXIR/NANYA. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | NT5AD512M16C4-HR | E3AD8G16A4-HR |
|---|---|---|
| מותג | Nanya Technology | ELIXIR/NANYA |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| ארגון | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| מתח אספקה | 1.2 V | 1.2 V |
| קצב נתונים | 1.333 GHz (DDR4-2666) | 3200 MT/s |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to +95°C | 0C to +95C (TCASE) |
| מארז | FBGA-96 (TFBGA) | TFBGA-96 |
| מספר פינים | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| השהיית CAS | — | 22 |
| Burst Length | — | 8 (BC4 optional) |
| Number of Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| Speed Grade | — | DDR4-3200 |