NT5AD512M16C4-HR vs E3AD8G16A4-HR Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng NT5AD512M16C4-HR sa pamamagitan ng Nanya Technology at E3AD8G16A4-HR sa pamamagitan ng ELIXIR/NANYA. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-HR - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Tech
NT5AD512M16C4-HR ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | NT5AD512M16C4-HR | E3AD8G16A4-HR |
|---|---|---|
| Brand | Nanya Technology | ELIXIR/NANYA |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organisasyon | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Volte ng Pagbibigay | 1.2 V | 1.2 V |
| Rate ng Data | 1.333 GHz (DDR4-2666) | 3200 MT/s |
| Temperature na Operasyon | 0°C to +95°C | 0C to +95C (TCASE) |
| Packhaging | FBGA-96 (TFBGA) | TFBGA-96 |
| Bilang ng Pins | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Latensya ng CAS | — | 22 |
| Burst Length | — | 8 (BC4 optional) |
| Number of Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |
| Uri ng Pagpapasok | — | Surface Mount |
| Speed Grade | — | DDR4-3200 |