H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G6NBJR-VKC Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci H5AN4G8NBJR-VKC disebabkan oleh SK hynix dan H5AN4G6NBJR-VKC disebabkan oleh SK hynix. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G6NBJR-VKC
Merek SK hynix SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Jenis Ingatan DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Saiz Ingatan 4 Gb 4 Gbit
Memory Organization 512M x8 256M x 16
Kadar Data 2666 Mbps (DDR4-2666) 2666 Mbps
Memory Interface Parallel —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V)
Kemasan FBGA-78 (7.5 x 11 mm) FBGA-96 / TFBGA (PBGA96)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM CMOS
Volatile / Non-Volatile Volatile —
Suhu Operasi [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +95C
Latensi CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] Auto self-refresh
Status RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) Compliant
Packaging Tray Tray
Status Lingkungan Hidup Active —
Clock Frequency — 1.6 GHz (internal reference per distributor data)
Operating Current — 38 mA (typical, per distributor data)
Antaramuka — Parallel
Body Size — 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch
Termination — Dynamic on-chip termination (ODT)
Calibration — ZQ calibration; write leveling
Protection Functions — Asynchronous reset; CRC; data mask

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga