H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G6NBJR-VKC Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma H5AN4G8NBJR-VKC tarafından SK hynix ve H5AN4G6NBJR-VKC tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G6NBJR-VKC
Marka SK hynix SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Bellek Boyutu 4 Gb 4 Gbit
Memory Organization 512M x8 256M x 16
Veri Hızı 2666 Mbps (DDR4-2666) 2666 Mbps
Memory Interface Parallel —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V)
Paket FBGA-78 (7.5 x 11 mm) FBGA-96 / TFBGA (PBGA96)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM CMOS
Volatile / Non-Volatile Volatile —
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +95C
CAS Gecikme [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] Auto self-refresh
RoHS Durumu Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) Compliant
Packaging Tray Tray
Yaşam Döngüsü Durumu Active —
Clock Frequency — 1.6 GHz (internal reference per distributor data)
Operating Current — 38 mA (typical, per distributor data)
Arayüz — Parallel
Body Size — 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch
Termination — Dynamic on-chip termination (ODT)
Calibration — ZQ calibration; write leveling
Protection Functions — Asynchronous reset; CRC; data mask

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin