H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G6NBJR-VKC So sánh

So sánh chi tiết song song của H5AN4G8NBJR-VKC bằng SK hynix và H5AN4G6NBJR-VKC bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC ✓ Hoạt động
SK hynix
H5AN4G6NBJR-VKC H5AN4G6NBJR-VKC - 4Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-VKC - 4Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-VKC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G6NBJR-VKC
Thương hiệu SK hynix SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Kích thước bộ nhớ 4 Gb 4 Gbit
Memory Organization 512M x8 256M x 16
Tốc độ dữ liệu 2666 Mbps (DDR4-2666) 2666 Mbps
Memory Interface Parallel —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V)
Hộp FBGA-78 (7.5 x 11 mm) FBGA-96 / TFBGA (PBGA96)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM CMOS
Volatile / Non-Volatile Volatile —
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +95C
Latency CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] Auto self-refresh
Trạng thái RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) Compliant
Packaging Tray Tray
Trạng thái vòng đời Active —
Clock Frequency — 1.6 GHz (internal reference per distributor data)
Operating Current — 38 mA (typical, per distributor data)
Giao diện — Parallel
Body Size — 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch
Termination — Dynamic on-chip termination (ODT)
Calibration — ZQ calibration; write leveling
Protection Functions — Asynchronous reset; CRC; data mask

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá