H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G6NBJR-VKC השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN4G8NBJR-VKC מאת SK hynix ו H5AN4G6NBJR-VKC מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC - 4Gb DDR4-2666 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKC ✓ פעיל
SK hynix
H5AN4G6NBJR-VKC H5AN4G6NBJR-VKC - 4Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-VKC - 4Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps x16 | SK Hynix

H5AN4G6NBJR-VKC ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר H5AN4G8NBJR-VKC H5AN4G6NBJR-VKC
מותג SK hynix SK hynix
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
גודל זיכרון 4 Gb 4 Gbit
Memory Organization 512M x8 256M x 16
קצב נתונים 2666 Mbps (DDR4-2666) 2666 Mbps
Memory Interface Parallel —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V nominal (1.14 V to 1.26 V)
מארז FBGA-78 (7.5 x 11 mm) FBGA-96 / TFBGA (PBGA96)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM CMOS
Volatile / Non-Volatile Volatile —
טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +95C
השהיית CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] Auto self-refresh
סטטוס RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) Compliant
Packaging Tray Tray
סטטוס מחזור חיים Active —
Clock Frequency — 1.6 GHz (internal reference per distributor data)
Operating Current — 38 mA (typical, per distributor data)
ממשק — Parallel
Body Size — 13 mm, 1.2 mm profile, 0.8 mm ball pitch
Termination — Dynamic on-chip termination (ODT)
Calibration — ZQ calibration; write leveling
Protection Functions — Asynchronous reset; CRC; data mask

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר