IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPD60R600PFD7SAUMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IPB60R040CFD7ATMA1 disebabkan oleh Infineon dan IPD60R600PFD7SAUMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IPB60R040CFD7ATMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS CFD7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET Superjunction (CoolMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 40 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Pembuangan Kuasa (TC=25°C) 227 W —
Gambaran Suhu Operasi -55°C to +150°C —
Kemasan PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Integrated Body Diode Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode —
Aras MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Target Applications Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) —
Series — CoolMOS PFD7
Jenis Transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D) — 6 A (Tc)
R_DS(on) Max — 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A
Total Gate Charge (Q_g) — 8.5 nC
Output Capacitance (C_oss) — 8 pF @ 400 V
Power Dissipation (P_D) — 31 W (Tc)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.5 V (typ)
Suhu Operasi — -55°C to +150°C (Tj)
Reel Quantity — 2500

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga