IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPD60R600PFD7SAUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB60R040CFD7ATMA1 מאת Infineon ו IPD60R600PFD7SAUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPB60R040CFD7ATMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סטטוס מלאי In Stock —
מחיר ליחידה (USD) $5.19 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS CFD7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET Superjunction (CoolMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 40 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
פיזור הספק (TC=25°C) 227 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55°C to +150°C —
מארז PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO252-3 (DPAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Integrated Body Diode Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode —
רמת MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Target Applications Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) —
Series — CoolMOS PFD7
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D) — 6 A (Tc)
R_DS(on) Max — 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A
Total Gate Charge (Q_g) — 8.5 nC
Output Capacitance (C_oss) — 8 pF @ 400 V
Power Dissipation (P_D) — 31 W (Tc)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.5 V (typ)
טמפרטורת פעולה — -55°C to +150°C (Tj)
Reel Quantity — 2500

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר