IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPD60R600PFD7SAUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB60R040CFD7ATMA1 tarafından Infineon ve IPD60R600PFD7SAUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB60R040CFD7ATMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Stok Durumu In Stock —
Birim Fiyat (USD) $5,19 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS CFD7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET Superjunction (CoolMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 40 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Güç Tüketimi (TC=25°C) 227 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C —
Paket PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Integrated Body Diode Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode —
MSL Seviyesi 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Target Applications Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) —
Series — CoolMOS PFD7
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D) — 6 A (Tc)
R_DS(on) Max — 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A
Total Gate Charge (Q_g) — 8.5 nC
Output Capacitance (C_oss) — 8 pF @ 400 V
Power Dissipation (P_D) — 31 W (Tc)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.5 V (typ)
İşletim Sıcaklığı — -55°C to +150°C (Tj)
Reel Quantity — 2500

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin