IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPD60R600PFD7SAUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB60R040CFD7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD60R600PFD7SAUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB60R040CFD7ATMA1 IPD60R600PFD7SAUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
اسٹاک کی حالت In Stock —
فی یونٹ قیمت (USD) $5.19 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS CFD7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET Superjunction (CoolMOS)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 40 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) 227 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +150°C —
پیکیج PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO252-3 (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Integrated Body Diode Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode —
MSL لیول 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Target Applications Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) —
Series — CoolMOS PFD7
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D) — 6 A (Tc)
R_DS(on) Max — 600 mΩ @ V_GS = 10 V, I_D = 1.7 A
Total Gate Charge (Q_g) — 8.5 nC
Output Capacitance (C_oss) — 8 pF @ 400 V
Power Dissipation (P_D) — 31 W (Tc)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.5 V (typ)
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55°C to +150°C (Tj)
Reel Quantity — 2500

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں