IPD60R2K0PFD7SAUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IPD60R2K0PFD7SAUMA1 disebabkan oleh Infineon dan IPB60R280P7ATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPB60R280P7ATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Harga Unit (USD) — $0.88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS PFD7 —
Technology Superjunction N-Channel MOSFET Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 3 A —
Power Dissipation (P_D) at T_C 20 W —
R_DS(on) at V_GS = 10 V 2000 milliohm (typ) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] —
Kemasan PG-TO252-3-344 (DPAK) PG-TO263-3 (D2PAK)
Kiraan Pin 3 (Gate, Drain, Source) 3 (2 + Tab)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Gambaran Suhu Operasi -55 C to +150 C (junction) -55 °C to +150 °C (T_j max)
Tingkat sensitiviti Air Nama (MSL) MSL2 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Compliance Compliant —
Standard Pack Quantity 2500 pcs / 13-inch reel —
Product Family — CoolMOS P7 (600 V)
Jenis Transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
Configuration — Single N-Channel
Status RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga