IPD60R2K0PFD7SAUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPD60R2K0PFD7SAUMA1 توسط Infineon و IPB60R280P7ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPD60R2K0PFD7SAUMA1 IPB60R280P7ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
قیمت واحد (USD) — $0.88
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS PFD7 —
Technology Superjunction N-Channel MOSFET Superjunction (SJ)
Drain-Source Voltage (V_DS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 3 A —
Power Dissipation (P_D) at T_C 20 W —
R_DS(on) at V_GS = 10 V 2000 milliohm (typ) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] —
بسته‌بندی PG-TO252-3-344 (DPAK) PG-TO263-3 (D2PAK)
تعداد پایه 3 (Gate, Drain, Source) 3 (2 + Tab)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55 C to +150 C (junction) -55 °C to +150 °C (T_j max)
سطح حساسیت به رطوبت (MSL) MSL2 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS Compliance Compliant —
Standard Pack Quantity 2500 pcs / 13-inch reel —
Product Family — CoolMOS P7 (600 V)
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) — 12 A
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) — 280 mOhm
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ — 3.5 V
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) — 53 W
Configuration — Single N-Channel
وضعیت RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Generation — 7th Gen CoolMOS (successor to P6)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت