IPD60R2K0PFD7SAUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPD60R2K0PFD7SAUMA1 bằng Infineon và IPB60R280P7ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - 600V CoolMOS PFD7 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPD60R2K0PFD7SAUMA1 | IPB60R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Giá đơn vị (USD) | — | $0,88 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS PFD7 | — |
| Technology | Superjunction N-Channel MOSFET | Superjunction (SJ) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | 3 A | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | 20 W | — |
| R_DS(on) at V_GS = 10 V | 2000 milliohm (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] | — |
| Hộp | PG-TO252-3-344 (DPAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Số chân | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (2 + Tab) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +150 C (junction) | -55 °C to +150 °C (T_j max) |
| Cấp độ độ ẩm nhạy cảm (MSL) | MSL2 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Standard Pack Quantity | 2500 pcs / 13-inch reel | — |
| Product Family | — | CoolMOS P7 (600 V) |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | — | 12 A |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | — | 280 mOhm |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | — | 3.5 V |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | — | 53 W |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Generation | — | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) |