IPD60R2K0PFD7SAUMA1 vs IPB60R280P7ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R2K0PFD7SAUMA1 tarafından Infineon ve IPB60R280P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - 600V CoolMOS PFD7 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD60R2K0PFD7SAUMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD60R2K0PFD7SAUMA1 | IPB60R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | — | $0,88 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS PFD7 | — |
| Technology | Superjunction N-Channel MOSFET | Superjunction (SJ) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | 3 A | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | 20 W | — |
| R_DS(on) at V_GS = 10 V | 2000 milliohm (typ) | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] | — |
| Paket | PG-TO252-3-344 (DPAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Pin Sayısı | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (2 + Tab) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +150 C (junction) | -55 °C to +150 °C (T_j max) |
| Nem Hassasiyet Seviyesi (MSL) | MSL2 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| Standard Pack Quantity | 2500 pcs / 13-inch reel | — |
| Product Family | — | CoolMOS P7 (600 V) |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | — | 12 A |
| On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) | — | 280 mOhm |
| Gate-Source Threshold V_GS(th) typ | — | 3.5 V |
| Power Dissipation P_D (T_C=25°C) | — | 53 W |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Generation | — | 7th Gen CoolMOS (successor to P6) |