IRFR3607TRPBF vs IRFR4620TRLPBF Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IRFR3607TRPBF disebabkan oleh Infineon dan IRFR4620TRLPBF disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IRFR3607TRPBF IRFR4620TRLPBF
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 56 A —
Calculated Die Drain Current 80 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V —
Total Gate Charge (Qg) 56 nC —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD, Tc) 140 W —
Thermal Resistance (RthJC) 1.0 C/W —
Gambaran Suhu Operasi -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention) —
Kemasan TO-252AA (DPAK) —
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (planar DMOS) IR MOSFET
Avalanche SOA Fully characterized —
RoHS / Lead-Free Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
Jenis Transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) — 24 A at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) — 25 nC typical
Power Dissipation (PD) — 144 W at Tc
Kemasan / Case — TO-252AA (DPAK)
Suhu Operasi — -55C to +175C
Lead Free — Yes
Status RoHS — Compliant
Aras MSL — 1 (Unlimited)

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga