IRFR3607TRPBF vs IRFR4620TRLPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR3607TRPBF מאת Infineon ו IRFR4620TRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFR3607TRPBF IRFR4620TRLPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 56 A —
Calculated Die Drain Current 80 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V —
Total Gate Charge (Qg) 56 nC —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD, Tc) 140 W —
Thermal Resistance (RthJC) 1.0 C/W —
טווח טמפרטורת פעולה -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention) —
מארז TO-252AA (DPAK) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (planar DMOS) IR MOSFET
Avalanche SOA Fully characterized —
RoHS / Lead-Free Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) — 24 A at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) — 25 nC typical
Power Dissipation (PD) — 144 W at Tc
מארז / Case — TO-252AA (DPAK)
טמפרטורת פעולה — -55C to +175C
Lead Free — Yes
סטטוס RoHS — Compliant
רמת MSL — 1 (Unlimited)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר