IRFR3607TRPBF vs IRFR4620TRLPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFR3607TRPBF bằng Infineon và IRFR4620TRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF - 75V 56A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon | DPAK

IRFR3607TRPBF - 75V 56A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon | DPAK

IRFR3607TRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF - 200V 24A N-Ch MOSFET, 78mOhm, DPAK | Infineon

IRFR4620TRLPBF - 200V 24A N-Ch MOSFET, 78mOhm, DPAK | Infineon

IRFR4620TRLPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFR3607TRPBF IRFR4620TRLPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 56 A —
Calculated Die Drain Current 80 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V —
Total Gate Charge (Qg) 56 nC —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD, Tc) 140 W —
Thermal Resistance (RthJC) 1.0 C/W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention) —
Hộp TO-252AA (DPAK) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (planar DMOS) IR MOSFET
Avalanche SOA Fully characterized —
RoHS / Lead-Free Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) — 24 A at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) — 25 nC typical
Power Dissipation (PD) — 144 W at Tc
Hộp / Vỏ — TO-252AA (DPAK)
Nhiệt độ hoạt động — -55C to +175C
Lead Free — Yes
Trạng thái RoHS — Compliant
Cấp MSL — 1 (Unlimited)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá