IRFR3607TRPBF vs IRFR4620TRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR3607TRPBF tarafından Infineon ve IRFR4620TRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR3607TRPBF IRFR4620TRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 56 A —
Calculated Die Drain Current 80 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V —
Total Gate Charge (Qg) 56 nC —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD, Tc) 140 W —
Thermal Resistance (RthJC) 1.0 C/W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention) —
Paket TO-252AA (DPAK) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (planar DMOS) IR MOSFET
Avalanche SOA Fully characterized —
RoHS / Lead-Free Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) — 24 A at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) — 25 nC typical
Power Dissipation (PD) — 144 W at Tc
Paket / Kas — TO-252AA (DPAK)
İşletim Sıcaklığı — -55C to +175C
Lead Free — Yes
RoHS Durumu — Compliant
MSL Seviyesi — 1 (Unlimited)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin