IRFR3607TRPBF vs IRFR4620TRLPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR3607TRPBF توسط Infineon و IRFR4620TRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR3607TRPBF IRFR4620TRLPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 56 A —
Calculated Die Drain Current 80 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V —
Total Gate Charge (Qg) 56 nC —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD, Tc) 140 W —
Thermal Resistance (RthJC) 1.0 C/W —
محدوده دمای کاری -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention) —
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (planar DMOS) IR MOSFET
Avalanche SOA Fully characterized —
RoHS / Lead-Free Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFR4620TRLPBF
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) — 24 A at Tc
On-Resistance (RDS(on)) — 78 mOhm max at VGS=10V
Gate Charge (Qg) — 25 nC typical
Power Dissipation (PD) — 144 W at Tc
بسته‌بندی / کیس — TO-252AA (DPAK)
دمای کاری — -55C to +175C
Lead Free — Yes
وضعیت RoHS — Compliant
سطح MSL — 1 (Unlimited)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت