K4B4G1646D-BYH9 vs W634GU6RB09I Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci K4B4G1646D-BYH9 disebabkan oleh Samsung Electronics dan W634GU6RB09I disebabkan oleh Winbond. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ AktifPengandingan Spesifikasi
| Parametr | K4B4G1646D-BYH9 | W634GU6RB09I |
|---|---|---|
| Merek | Samsung Electronics | Winbond |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisasi | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Kadar Data | 1333 Mbps | — |
| Tegangan Pemberi Arus | 1.35 V | 1.35 V |
| Suhu Operasi | 0 ~ 85 °C | -40C to +95C |
| Kemasan | 96FBGA | 96-VFBGA (7.5x13 mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Latensi CAS | Programmable | 20 ns |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Boson Bebas | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Jenis Ingatan | — | DDR3L SDRAM |
| Saiz Ingatan | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Lebar Bus Data | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 1.067 GHz |
| Jenis Pemasangan | — | Surface Mount |
| Status RoHS | — | Compliant |
| Antaramuka | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| Voltage - I/O | — | 1.35 V |