K4B4G1646D-BYH9 vs W634GU6RB09I موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BYH9 بذریعہ Samsung Electronics اور W634GU6RB09I بذریعہ Winbond. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646D-BYH9 | W634GU6RB09I |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Winbond |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Density | 4 Gb | — |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ڈیٹا ریٹ | 1333 Mbps | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V | 1.35 V |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0 ~ 85 °C | -40C to +95C |
| پیکیج | 96FBGA | 96-VFBGA (7.5x13 mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS لیٹنسی | Programmable | 20 ns |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| میموری ٹائپ | — | DDR3L SDRAM |
| میموری سائز | — | 4Gbit (256M x 16) |
| ڈیٹا بس چوڑائی | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 1.067 GHz |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| انٹرفیس | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| Voltage - I/O | — | 1.35 V |