K4B4G1646D-BYH9 vs W634GU6RB09I Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646D-BYH9 tarafından Samsung Electronics ve W634GU6RB09I tarafından WinbondAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646D-BYH9 | W634GU6RB09I |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Winbond |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Density | 4 Gb | — |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Veri Hızı | 1333 Mbps | — |
| Besleme Gerilimi | 1.35 V | 1.35 V |
| İşletim Sıcaklığı | 0 ~ 85 °C | -40C to +95C |
| Paket | 96FBGA | 96-VFBGA (7.5x13 mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS Gecikme | Programmable | 20 ns |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Klorürsüz | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Bellek Türü | — | DDR3L SDRAM |
| Bellek Boyutu | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Veri Bus Genişliği | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 1.067 GHz |
| Montaj Türü | — | Surface Mount |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Arayüz | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| Voltage - I/O | — | 1.35 V |