K4A8G165WB-BIWE vs AS4C512M16D4A-62BIN Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4A8G165WB-BIWE sa pamamagitan ng Samsung Electronics at AS4C512M16D4A-62BIN sa pamamagitan ng Alliance Memory. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4A8G165WB-BIWE | AS4C512M16D4A-62BIN |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisasyon | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Rate ng Data | 3200 Mbps | 3200 Mbps per pin |
| Volte ng Pagbibigay | 1.2 V | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) |
| Temperature na Operasyon | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C |
| Packhaging | 96-ball FBGA | 96-FBGA (7.5x13mm) |
| Interface | Parallel | POD (Pseudo Open Drain) |
| Burst Length | 8, 16 | 8 (with burst chop 4) |
| Latensya ng CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable (e.g., 22 cycles) |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Bilang ng Pins | 96 | — |
| Laki ng Memory | — | 8 Gbit |
| Clock Rate | — | 1600 MHz |
| Lead Free | — | Yes |