K4A8G165WB-BIWE vs AS4C512M16D4A-62BIN 比較
詳細並排比較 K4A8G165WB-BIWE 由 Samsung Electronics 與 AS4C512M16D4A-62BIN 由 Alliance Memory. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
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AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN ✓ 啟用中規格比較
| 參數 | K4A8G165WB-BIWE | AS4C512M16D4A-62BIN |
|---|---|---|
| 品牌 | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| 組織 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| 資料速率 | 3200 Mbps | 3200 Mbps per pin |
| 供應電壓 | 1.2 V | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) |
| 工作溫度 | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C |
| 封裝 | 96-ball FBGA | 96-FBGA (7.5x13mm) |
| 介面 | Parallel | POD (Pseudo Open Drain) |
| Burst Length | 8, 16 | 8 (with burst chop 4) |
| CAS 延遲 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable (e.g., 22 cycles) |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| 安裝類型 | Surface Mount | Surface Mount |
| 腳位數 | 96 | — |
| 記憶體容量 | — | 8 Gbit |
| Clock Rate | — | 1600 MHz |
| Lead Free | — | Yes |