K4A8G165WB-BIWE vs AS4C512M16D4A-62BIN مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4A8G165WB-BIWE توسط Samsung Electronics و AS4C512M16D4A-62BIN توسط Alliance Memory. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4A8G165WB-BIWE | AS4C512M16D4A-62BIN |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| سازمان | 512M x 16 | 512M x 16 |
| نرخ داده | 3200 Mbps | 3200 Mbps per pin |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) |
| دمای کاری | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA | 96-FBGA (7.5x13mm) |
| رابط | Parallel | POD (Pseudo Open Drain) |
| Burst Length | 8, 16 | 8 (with burst chop 4) |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable (e.g., 22 cycles) |
| Refresh | Auto-refresh, Self-refresh | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| تعداد پین‌ها | 96 | — |
| اندازه حافظه | — | 8 Gbit |
| Clock Rate | — | 1600 MHz |
| Lead Free | — | Yes |