K4A8G165WB-BIWE vs AS4C512M16D4A-62BIN موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WB-BIWE بذریعہ Samsung Electronics اور AS4C512M16D4A-62BIN بذریعہ Alliance Memory. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIWE K4A8G165WB-BIWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BIWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WB-BIWE ✓ فعال
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G165WB-BIWE AS4C512M16D4A-62BIN
برانڈ Samsung Electronics Alliance Memory
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
تنظیم 512M x 16 512M x 16
ڈیٹا ریٹ 3200 Mbps 3200 Mbps per pin
سپلائی وولٹیج 1.2 V 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V)
آپریٹنگ درجہ حرارت -40°C to +95°C -40°C to +95°C
پیکیج 96-ball FBGA 96-FBGA (7.5x13mm)
انٹرفیس Parallel POD (Pseudo Open Drain)
Burst Length 8, 16 8 (with burst chop 4)
CAS لیٹنسی [DATA_NEEDED: CAS Latency] Programmable (e.g., 22 cycles)
Refresh Auto-refresh, Self-refresh Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination Yes —
RoHS Compliant Compliant
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پنز کی تعداد 96 —
میموری سائز — 8 Gbit
Clock Rate — 1600 MHz
Lead Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں