1EDN6550BXTSA1 vs 1ED3124MU12HXUMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDN6550BXTSA1 tarafından Infineon ve 1ED3124MU12HXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
1ED3124MU12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver | Infineon EiceDRIVER
1ED3124MU12HXUMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | 1EDN6550BXTSA1 | 1ED3124MU12HXUMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Product Type | Single-channel gate driver IC | Single-channel isolated gate driver IC |
| Driver Configuration | High-Side / Low-Side, Non-Inverting | — |
| Çıkış Sayısı | 1 | — |
| Peak Source Current | 4 A | — |
| Peak Sink Current | 8 A | — |
| Minimum Pulse Width | 29 ns | — |
| Input Type | Differential (TTL-compatible) | — |
| Supply Voltage Range | [DATA_NEEDED: VCC range] | — |
| UVLO Protection | Yes (integrated) | — |
| İşletim Sıcaklığı | -40C to +125C | — |
| Paket | PG-SOT23-6-3 (SOT-23-6) | PG-DSO-8-66 (DSO-8 wide-body) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | MSL2 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Pin Sayısı | 6 | — |
| Manufacturer Family | — | EiceDRIVER Compact 1ED31xxMU12H (X3 compact) |
| Peak Output Current (source/sink) | — | 14 A typical |
| Çıkış Konfigürasyonu | — | Separate source and sink pins |
| Galvanic Isolation (rms) | — | 5.7 kV (UL 1577) |
| Working Voltage (continuous) | — | 1200 V |
| Common-Mode Transient Immunity (CMTI) | — | 200 kV/us minimum |
| Propagation Delay (typ.) | — | 90 ns |
| UVLO Threshold | — | 10.5 V |
| Isolation Technology | — | Coreless transformer (CT) |
| Creepage Distance | — | >8 mm |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -40C to +125C |
| Target Switch Types | — | IGBT, power MOSFET, SiC MOSFET |
| Recommended Switch Class | — | Up to 2300 V IGBT / SiC modules |