1EDN6550BXTSA1 vs 1ED3124MU12HXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 1EDN6550BXTSA1 توسط Infineon و 1ED3124MU12HXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
1EDN6550BXTSA1 1EDN6550BXTSA1 - 5A Gate Driver IC, SOT-23-6 | Infineon

1EDN6550BXTSA1 - 5A Gate Driver IC, SOT-23-6 | Infineon

1EDN6550BXTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر 1EDN6550BXTSA1 1ED3124MU12HXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Product Type Single-channel gate driver IC Single-channel isolated gate driver IC
Driver Configuration High-Side / Low-Side, Non-Inverting —
تعداد خروجی‌ها 1 —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Minimum Pulse Width 29 ns —
Input Type Differential (TTL-compatible) —
Supply Voltage Range [DATA_NEEDED: VCC range] —
UVLO Protection Yes (integrated) —
دمای کاری -40C to +125C —
بسته‌بندی PG-SOT23-6-3 (SOT-23-6) PG-DSO-8-66 (DSO-8 wide-body)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL level] MSL2 (per JEDEC J-STD-020)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
تعداد پایه 6 —
Manufacturer Family — EiceDRIVER Compact 1ED31xxMU12H (X3 compact)
Peak Output Current (source/sink) — 14 A typical
پیکربندی خروجی — Separate source and sink pins
Galvanic Isolation (rms) — 5.7 kV (UL 1577)
Working Voltage (continuous) — 1200 V
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — 200 kV/us minimum
Propagation Delay (typ.) — 90 ns
UVLO Threshold — 10.5 V
Isolation Technology — Coreless transformer (CT)
Creepage Distance — >8 mm
محدوده دمای کاری — -40C to +125C
Target Switch Types — IGBT, power MOSFET, SiC MOSFET
Recommended Switch Class — Up to 2300 V IGBT / SiC modules

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت