1EDN6550BXTSA1 vs 1ED3124MU12HXUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 1EDN6550BXTSA1 بذریعہ Infineon اور 1ED3124MU12HXUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
1EDN6550BXTSA1 1EDN6550BXTSA1 - 5A Gate Driver IC, SOT-23-6 | Infineon

1EDN6550BXTSA1 - 5A Gate Driver IC, SOT-23-6 | Infineon

1EDN6550BXTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 1EDN6550BXTSA1 1ED3124MU12HXUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Product Type Single-channel gate driver IC Single-channel isolated gate driver IC
Driver Configuration High-Side / Low-Side, Non-Inverting —
آؤٹ پٹس کی تعداد 1 —
Peak Source Current 4 A —
Peak Sink Current 8 A —
Minimum Pulse Width 29 ns —
Input Type Differential (TTL-compatible) —
Supply Voltage Range [DATA_NEEDED: VCC range] —
UVLO Protection Yes (integrated) —
آپریٹنگ درجہ حرارت -40C to +125C —
پیکیج PG-SOT23-6-3 (SOT-23-6) PG-DSO-8-66 (DSO-8 wide-body)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] MSL2 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
پن کی تعداد 6 —
Manufacturer Family — EiceDRIVER Compact 1ED31xxMU12H (X3 compact)
Peak Output Current (source/sink) — 14 A typical
آؤٹ پٹ کنفیگریشن — Separate source and sink pins
Galvanic Isolation (rms) — 5.7 kV (UL 1577)
Working Voltage (continuous) — 1200 V
Common-Mode Transient Immunity (CMTI) — 200 kV/us minimum
Propagation Delay (typ.) — 90 ns
UVLO Threshold — 10.5 V
Isolation Technology — Coreless transformer (CT)
Creepage Distance — >8 mm
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -40C to +125C
Target Switch Types — IGBT, power MOSFET, SiC MOSFET
Recommended Switch Class — Up to 2300 V IGBT / SiC modules

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں