2ED21064S06JXUMA1 vs 2ED2103S06FXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2ED21064S06JXUMA1 tarafından Infineon ve 2ED2103S06FXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2ED21064S06JXUMA1 2ED2103S06FXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Fonksiyon High-Side and Low-Side Gate Driver Half-Bridge Gate Driver
Configuration Half-Bridge (2 outputs, non-inverting) Non-Inverting
Ağ Yapısı High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode —
Maximum Offset / Boot Voltage 650 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.7 A —
Rise Time (typical) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (typical) [DATA_NEEDED: fall time] —
Propagation Delay (typical) 100 ns —
Channel-to-Channel Delay Match [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match] —
Under-Voltage Lockout Yes (both channels) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C —
Paket PG-DSO-14 (14-pin SOIC) PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS Durumu ROHS3 Compliant Compliant
Negative Gate Drive Robustness -0.7 V —
Technology — High-Voltage Level Shift (SOI)
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Driven Device Type — IGBT, N-Channel MOSFET
High-Side Offset Voltage (Max) — 650 V
Bootstrap Voltage (Max) — 675 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -40C to +125C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin