2ED21064S06JXUMA1 vs 2ED2103S06FXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 2ED21064S06JXUMA1 توسط Infineon و 2ED2103S06FXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
2ED2103S06FXUMA1 2ED2103S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2103S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

2ED2103S06FXUMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر 2ED21064S06JXUMA1 2ED2103S06FXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
عملکرد High-Side and Low-Side Gate Driver Half-Bridge Gate Driver
Configuration Half-Bridge (2 outputs, non-inverting) Non-Inverting
توپولوژی High-Side, Low-Side with integrated bootstrap diode —
Maximum Offset / Boot Voltage 650 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.7 A —
Rise Time (typical) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (typical) [DATA_NEEDED: fall time] —
Propagation Delay (typical) 100 ns —
Channel-to-Channel Delay Match [DATA_NEEDED: channel-to-channel delay match] —
Under-Voltage Lockout Yes (both channels) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS —
دمای کاری -40C to +125C —
بسته‌بندی PG-DSO-14 (14-pin SOIC) PG-DSO-8-69 (DSO-8 with exposed pad)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL level]
وضعیت RoHS ROHS3 Compliant Compliant
Negative Gate Drive Robustness -0.7 V —
Technology — High-Voltage Level Shift (SOI)
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
Driven Device Type — IGBT, N-Channel MOSFET
High-Side Offset Voltage (Max) — 650 V
Bootstrap Voltage (Max) — 675 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Logic Input Compatibility — 3.3 V / 5 V
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
محدوده دمای کاری — -40C to +125C

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت