2EDL8034G4CXTMA1 vs 1EDN7146UXTSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2EDL8034G4CXTMA1 tarafından Infineon ve 1EDN7146UXTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | 2EDL8034G4CXTMA1 | 1EDN7146UXTSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Driver Type | Half-Bridge (High-Side / Low-Side) | Single-channel high-side TDI gate driver |
| Configuration | Non-Inverting | — |
| Bootstrap Voltage (Max) | 120 V | — |
| Peak Source Current | 3 A | — |
| Peak Sink Current | 4 A | — |
| Çıkış Sayısı | 2 | — |
| Rise Time (Typical) | [DATA_NEEDED: rise time ns] | — |
| Fall Time (Typical) | [DATA_NEEDED: fall time ns] | — |
| Propagation Delay (Typical) | [DATA_NEEDED: propagation delay ns] | — |
| Input Logic Compatibility | 3.3 V / 5 V | — |
| VCC Supply Voltage | [DATA_NEEDED: VCC range V] | — |
| UVLO Protection | Yes (VCC and VBS) | — |
| Isolation Type | Junction-isolated (level-shifted) | — |
| ESD Rating (HBM) | [DATA_NEEDED: ESD HBM kV] | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -40 C to +125 C | — |
| Paket | PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad | PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (per Infineon product page) | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Maximum Blocking Voltage | — | 200 V |
| Input Configuration | — | Truly differential (TDI) |
| Output Current (Source / Sink) | — | 1.5 A / 2.5 A |
| Propagation Delay | — | [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns] |
| Artış Süresi | — | [DATA_NEEDED: typical rise time ns] |
| Düşüş Süresi | — | [DATA_NEEDED: typical fall time ns] |
| Supply Voltage (VCC) | — | [DATA_NEEDED: VCC range V] |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -40C to +125C |
| Target Transistor | — | GaN SG HEMT or power MOSFET |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Topology Support | — | Half-bridge, low-side, high-side |