2N7002H6327XTSA2 vs 2N7002LT1G Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2N7002H6327XTSA2 tarafından Infineon ve 2N7002LT1G tarafından onsemiAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | 2N7002H6327XTSA2 | 2N7002LT1G |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | onsemi |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS (Planar) | MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 300 mA (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 3 ohm max @ VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (Tj) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Paket | PG-SOT23 (SOT-23-3) | SOT-23-3 (TO-236) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Mode | Enhancement | Enhancement Mode |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Qualification | Industrial / Commercial Grade | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage VDSS | — | 60 V |
| Continuous Drain Current ID | — | 115 mA (Tc) |
| Power Dissipation PD | — | 225 mW (Ta) |
| Maximum RDS(on) | — | 7.5 ohm @ VGS = 5 V |
| Configuration | — | Single FET |
| Pin Sayısı | — | 3 |
| Kategori | — | Small Signal MOSFET |
| Manufacturer | — | onsemi (ON Semiconductor) |
| Lead Finish | — | [DATA_NEEDED: lead finish/plating] |
| Packaging | — | [DATA_NEEDED: packaging type] |