2N7002H6327XTSA2 vs 2N7002LT1G مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 2N7002H6327XTSA2 توسط Infineon و 2N7002LT1G توسط onsemi. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 - 60V N-Ch OptiMOS MOSFET SOT-23 | Infineon

2N7002H6327XTSA2 - 60V N-Ch OptiMOS MOSFET SOT-23 | Infineon

2N7002H6327XTSA2 ✓ فعال
onsemi
2N7002LT1G 2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر 2N7002H6327XTSA2 2N7002LT1G
برند Infineon onsemi
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS (Planar) MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 300 mA (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) 3 ohm max @ VGS = 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
محدوده دمای کاری -55C to +150C (Tj) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
بسته‌بندی PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23-3 (TO-236)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Channel Mode Enhancement Enhancement Mode
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
وضعیت RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Qualification Industrial / Commercial Grade —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage VDSS — 60 V
Continuous Drain Current ID — 115 mA (Tc)
Power Dissipation PD — 225 mW (Ta)
Maximum RDS(on) — 7.5 ohm @ VGS = 5 V
Configuration — Single FET
تعداد پین‌ها — 3
دسته‌بندی — Small Signal MOSFET
Manufacturer — onsemi (ON Semiconductor)
Lead Finish — [DATA_NEEDED: lead finish/plating]
Packaging — [DATA_NEEDED: packaging type]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت