BSC520N15NS3 vs CSD19534Q5A Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC520N15NS3 tarafından Infineon ve CSD19534Q5A tarafından Texas InstrumentsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Texas Instruments
CSD19534Q5A - 100V NexFET N-Channel MOSFET | Texas Instruments
CSD19534Q5A ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC520N15NS3 | CSD19534Q5A |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Texas Instruments |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Technology | OptiMOS 3, N-channel trench MOSFET | NexFET (Power MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | 21 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 84 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max (VGS=10V) | 52 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage VGS max | +/- 20 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3 V | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 57 W | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55C to +150C | — |
| Paket | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8, 5x6 mm) | 8-VSONP (5x6 mm) with exposed pad |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 | 1-260C-UNLIM |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| Body Diode | Intrinsic, avalanche-rated | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 44 A |
| On-Resistance RDS(on) | — | 12.6 mΩ (typ per datasheet description) |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3.2 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 63 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] |
| Pin Sayısı | — | 8 |