BSD235CH6327XTSA1 vs BSL308CH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSD235CH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSL308CH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSD235CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V 30 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW 500 mW
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C (junction) -55 °C to +150 °C
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
RoHS Durumu Compliant (lead-free) Compliant
MSL Seviyesi 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Pin Sayısı 6 —
Product Family — OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs
Paket — PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins)
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) — 2.3 A
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) — 2 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch]
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch]
Total Gate Charge (Qg) — 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 18 pF
Automotive Qualified — Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade)
Lead-Free — Yes
Klorürsüz — Yes (per Infineon product family convention)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin