BSD235CH6327XTSA1 vs BSL308CH6327XTSA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSD235CH6327XTSA1 מאת Infineon ו BSL308CH6327XTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSL308CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 - 30V 2.3A Dual N/P MOSFET Array | Infineon

BSL308CH6327XTSA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSD235CH6327XTSA1 BSL308CH6327XTSA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET Complementary dual MOSFET (1 N-channel + 1 P-channel)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V 30 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW 500 mW
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage —
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +150 °C (junction) -55 °C to +150 °C
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
סטטוס RoHS Compliant (lead-free) Compliant
רמת MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
מספר פינים 6 —
Product Family — OptiMOS™ low-voltage power MOSFETs
מארז — PG-TSOP6-6 (TSOP-6, 6 pins)
Continuous Drain Current - N-channel (ID, N-ch) — 2.3 A
Continuous Drain Current - P-channel (ID, P-ch) — 2 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
On-State Resistance N-channel (RDS(on) @ VGS=10V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) N-ch]
On-State Resistance P-channel (RDS(on) @ VGS=10V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) P-ch]
Total Gate Charge (Qg) — 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) — 18 pF
Automotive Qualified — Yes (per Infineon part-number suffix, automotive grade)
Lead-Free — Yes
נטול הלוגנים — Yes (per Infineon product family convention)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר