BSS138LT1G vs MMBF170LT1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS138LT1G tarafından onsemi ve MMBF170LT1 tarafından onsemiAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS138LT1G MMBF170LT1
Marka onsemi onsemi
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 50 V —
Continuous Drain Current (ID) 200 mA (Ta) 500 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 225 mW (Ta) —
On-Resistance Max (RDS(on)) 3.5 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate-Source Voltage Max (VGS) [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage] —
Configuration Single FET —
Channel Mode Enhancement Mode —
Paket SOT-23-3 (TO-236) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS Durumu Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom) Compliant (per onsemi product page)
Product Family BSS138LT Series Small Signal MOSFET —
Typical Applications Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters —
Manufacturer — onsemi (ON Semiconductor)
Part Number — MMBF170LT1
Drain-Source Voltage (VDSS) — 60 V
Drain-Gate Voltage (VDGS) — 60 Vdc
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) — ±20 Vdc (per datasheet)
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) — ±40 Vpk (tp <= 50 ms)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Total Device Dissipation (PD) — 225 mW (Ta, FR-5 board)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet)
Paket / Kas — SOT-23-3 (TO-236)
Pin Sayısı — 3
AEC-Q101 Qualified — Yes (per datasheet)
Technology — DMOS
Polarity — N-Channel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin