BSS138LT1G vs MMBF170LT1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSS138LT1G توسط onsemi و MMBF170LT1 توسط onsemi. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSS138LT1G MMBF170LT1
برند onsemi onsemi
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 50 V —
Continuous Drain Current (ID) 200 mA (Ta) 500 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 225 mW (Ta) —
On-Resistance Max (RDS(on)) 3.5 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate-Source Voltage Max (VGS) [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage] —
Configuration Single FET —
Channel Mode Enhancement Mode —
بسته‌بندی SOT-23-3 (TO-236) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
وضعیت RoHS Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom) Compliant (per onsemi product page)
Product Family BSS138LT Series Small Signal MOSFET —
Typical Applications Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters —
Manufacturer — onsemi (ON Semiconductor)
Part Number — MMBF170LT1
Drain-Source Voltage (VDSS) — 60 V
Drain-Gate Voltage (VDGS) — 60 Vdc
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) — ±20 Vdc (per datasheet)
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) — ±40 Vpk (tp <= 50 ms)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Total Device Dissipation (PD) — 225 mW (Ta, FR-5 board)
محدوده دمای کاری — -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet)
بسته‌بندی / کیس — SOT-23-3 (TO-236)
تعداد پایه — 3
AEC-Q101 Qualified — Yes (per datasheet)
Technology — DMOS
Polarity — N-Channel

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت