BSS138LT1G vs MMBF170LT1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSS138LT1G מאת onsemi ו MMBF170LT1 מאת onsemi. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSS138LT1G MMBF170LT1
מותג onsemi onsemi
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 50 V —
Continuous Drain Current (ID) 200 mA (Ta) 500 mA (Ta)
Power Dissipation (PD) 225 mW (Ta) —
On-Resistance Max (RDS(on)) 3.5 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate-Source Voltage Max (VGS) [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage] —
Configuration Single FET —
Channel Mode Enhancement Mode —
מארז SOT-23-3 (TO-236) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
סטטוס RoHS Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom) Compliant (per onsemi product page)
Product Family BSS138LT Series Small Signal MOSFET —
Typical Applications Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters —
Manufacturer — onsemi (ON Semiconductor)
Part Number — MMBF170LT1
Drain-Source Voltage (VDSS) — 60 V
Drain-Gate Voltage (VDGS) — 60 Vdc
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) — ±20 Vdc (per datasheet)
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) — ±40 Vpk (tp <= 50 ms)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Total Device Dissipation (PD) — 225 mW (Ta, FR-5 board)
טווח טמפרטורת פעולה — -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet)
מארז / Case — SOT-23-3 (TO-236)
מספר פינים — 3
AEC-Q101 Qualified — Yes (per datasheet)
Technology — DMOS
Polarity — N-Channel

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר