BSS806NEH6327XTSA1 vs BSS126H6327XTSA2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS806NEH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSS126H6327XTSA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSS806NEH6327XTSA1 | BSS126H6327XTSA2 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSS806NEH6327XTSA1 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Mode of Operation | Enhancement-mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 20 V (maximum) | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 2.3 A (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | — |
| On-Resistance RDS(on) | 57 mOhm (maximum) | — |
| Paket | PG-SOT23 (SOT-23-3) | SOT-23-3 (PG-SOT23) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Yes (compliant) | — |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (automotive grade) | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -55C to +150C (junction, typical) |
| FET Type | — | N-Channel Depletion Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 21 mA |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 500 mW |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | — | 500 ohm (typical for depletion-mode) |
| Gate-Source Voltage (VGS) Range | — | [DATA_NEEDED: VGS max/min] |
| Technology | — | SIPMOS (DMOS) |
| Configuration | — | Single |
| Channel Mode | — | Depletion (normally-on at VGS = 0) |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Klorürsüz | — | Yes (Infineon 'green' package) |