BSS806NEH6327XTSA1 vs BSS126H6327XTSA2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS806NEH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSS126H6327XTSA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSS806NEH6327XTSA1 BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 - 20V N-Ch MOSFET 2.3A SOT-23 | Infineon

BSS806NEH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS806NEH6327XTSA1 BSS126H6327XTSA2
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSS806NEH6327XTSA1 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Mode of Operation Enhancement-mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 20 V (maximum) —
Continuous Drain Current (ID) 2.3 A (Ta) —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
On-Resistance RDS(on) 57 mOhm (maximum) —
پیکیج PG-SOT23 (SOT-23-3) SOT-23-3 (PG-SOT23)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) 3
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Yes (compliant) —
AEC-Q101 Qualification Qualified (automotive grade) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +150C (junction, typical)
FET Type — N-Channel Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 mA
Power Dissipation (PD) at Ta — 500 mW
On-Resistance (RDS(on)) Max — 500 ohm (typical for depletion-mode)
Gate-Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max/min]
Technology — SIPMOS (DMOS)
Configuration — Single
Channel Mode — Depletion (normally-on at VGS = 0)
MSL لیول — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes
ہیلوجن فری — Yes (Infineon 'green' package)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں